Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Tube
• статус детали:Active
• тип диода:Silicon Carbide Schottky
• напряжение - обратное постоянное (vr) (макс.):650 V
• ток - средний выпрямленный (io):8A (DC)
• напряжение - прямое (vf) (max) @ если:1.5 V @ 8 A
• скорость:No Recovery Time > 500mA (Io)

• время обратного восстановления (trr):0 ns
• ток - обратная утечка @ vr:40 µA @ 650 V
• емкость при vr, ф:400pF @ 1V, 1MHz
• тип крепления:Through Hole
• упаковка / чехол:TO-220-2
• пакет устройств поставщика:-
• рабочая температура - соединение:175°C (Max)