Технические подробности

• ряд:CoolSiC™+
• упаковка:Bulk
• статус детали:Active
• тип диода:Silicon Carbide Schottky
• напряжение - обратное постоянное (vr) (макс.):650 V
• ток - средний выпрямленный (io):4A (DC)
• напряжение - прямое (vf) (max) @ если:1.7 V @ 4 A
• скорость:No Recovery Time > 500mA (Io)

• время обратного восстановления (trr):0 ns
• ток - обратная утечка @ vr:70 µA @ 650 V
• емкость при vr, ф:130pF @ 1V, 1MHz
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:4-PowerTSFN
• пакет устройств поставщика:PG-VSON-4
• рабочая температура - соединение:-55°C ~ 175°C