Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Tube
• статус детали:Active
• тип IGBT:-
• конфигурация:Half Bridge
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):2500 V
• ток - коллектор (ic) (макс.):23 A
• мощность - макс.:100 W
• vce(on) (макс.) @ vge, ic:3.1V @ 15V, 20A

• ток - отсечка коллектора (макс.):10 µA
• входная емкость (cis) @ vce:1190 pF @ 15 V
• вход:Standard
• нтк термистор:No
• Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:24-SMD Module, 9 Leads
• пакет устройств поставщика:24-SMPD