Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bulk
• статус детали:Active
• тип IGBT:PT
• конфигурация:Half Bridge
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):1200 V
• ток - коллектор (ic) (макс.):32 A
• мощность - макс.:130 W
• vce(on) (макс.) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 15A

• ток - отсечка коллектора (макс.):125 µA
• входная емкость (cis) @ vce:-
• вход:Standard
• нтк термистор:No
• Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:9-SMD Module
• пакет устройств поставщика:ISOPLUS-SMPD™.B