Технические подробности

• ряд:BIMOSFET™
• упаковка:Tube
• статус детали:Active
• тип IGBT:-
• конфигурация:Full Bridge
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):3000 V
• ток - коллектор (ic) (макс.):34 A
• мощность - макс.:150 W
• vce(on) (макс.) @ vge, ic:3.2V @ 15V, 20A

• ток - отсечка коллектора (макс.):-
• входная емкость (cis) @ vce:-
• вход:Standard
• нтк термистор:No
• Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:24-SMD Module, 9 Leads
• пакет устройств поставщика:24-SMPD