GT50J121(Q) Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | Baseonchip
В наличии: 3 281

Могу отправить немедленно

Цены:

Позвоните, чтобы узнать цену или отправьте запрос

Технические подробности

  • ряд:-
  • упаковка:Tube
  • статус детали:Obsolete
  • тип IGBT:-
  • напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):600 V
  • ток - коллектор (ic) (макс.):50 A
  • ток - коллектор импульсный (icm):100 A
  • vce(on) (макс.) @ vge, ic:2.45V @ 15V, 50A
  • мощность - макс.:240 W
  • переключение энергии:1.3mJ (on), 1.34mJ (off)

 

  • тип ввода:Standard
  • заряд ворот:-
  • td (вкл./выкл.) при 25°C:90ns/300ns
  • условия испытаний:300V, 50A, 13Ohm, 15V
  • время обратного восстановления (trr):-
  • Рабочая Температура:150°C (TJ)
  • тип крепления:Through Hole
  • упаковка / чехол:TO-3PL
  • пакет устройств поставщика:TO-3P(LH)

сопутствующие товары


Product

HIGH SPEED IGBT

В наличии: 500

  • 1: $1.62000
Product

DISC IGBT XPT-GENX3 TO-3P (3)

В наличии: 2 174

  • 1: $6.47530
Product

40A, 600V, RUGGED N-CHANNEL IGBT

В наличии: 580

  • 1: $1.80000
Product

IGBT TRANS 600V 30A TO3PN

В наличии: 3 028

  • 1: $2.57550
Product

DISC IGBT PT-MID FREQUENCY TO-24

В наличии: 2 616

Позвоните, чтобы узнать цену

Product

FP40R12 - IGBT MODULE

В наличии: 148

  • 1: $93.53000
Product

IGBT 1200V 10A SAWN ON FOIL

В наличии: 3 997

  • 1: $3.29000
Product

IGBT

В наличии: 2 137

  • 1: $4.09850
  • 30: $4.09850
Product

7.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT

В наличии: 1 131

  • 1: $0.66000
Product

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

В наличии: 2 694

Позвоните, чтобы узнать цену

Top