GT30J341,Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | Baseonchip
В наличии: 3 028

Могу отправить немедленно

Цены:
  • 1$2.5755

Технические подробности

  • ряд:-
  • упаковка:Tray
  • статус детали:Active
  • тип IGBT:-
  • напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):600 V
  • ток - коллектор (ic) (макс.):59 A
  • ток - коллектор импульсный (icm):120 A
  • vce(on) (макс.) @ vge, ic:2V @ 15V, 30A
  • мощность - макс.:230 W
  • переключение энергии:800µJ (on), 600µJ (off)

 

  • тип ввода:Standard
  • заряд ворот:-
  • td (вкл./выкл.) при 25°C:80ns/280ns
  • условия испытаний:300V, 30A, 24Ohm, 15V
  • время обратного восстановления (trr):50 ns
  • Рабочая Температура:175°C (TJ)
  • тип крепления:Through Hole
  • упаковка / чехол:TO-3P-3, SC-65-3
  • пакет устройств поставщика:TO-3P(N)

сопутствующие товары


Product

DISC IGBT PT-MID FREQUENCY TO-24

В наличии: 2 616

Позвоните, чтобы узнать цену

Product

FP40R12 - IGBT MODULE

В наличии: 148

  • 1: $93.53000
Product

IGBT 1200V 10A SAWN ON FOIL

В наличии: 3 997

  • 1: $3.29000
Product

IGBT

В наличии: 2 137

  • 1: $4.09850
  • 30: $4.09850
Product

7.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT

В наличии: 1 131

  • 1: $0.66000
Product

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

В наличии: 2 694

Позвоните, чтобы узнать цену

Product

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

В наличии: 3 059

Позвоните, чтобы узнать цену

Product

IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

В наличии: 3 213

Позвоните, чтобы узнать цену

Product

IGBT CHIP

В наличии: 2 888

Позвоните, чтобы узнать цену

Product

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

В наличии: 2 799

  • 1: $87.66000
Top