Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Tape & Reel (TR)
• статус детали:Not For New Designs
• тип транзистора:PNP - Pre-Biased
• ток - коллектор (ic) (макс.):500 mA
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):40 V
• резистор - база (r1):10 kOhms
• резистор - эмиттерная база (r2):-

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:100 @ 50mA, 5V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:300mV @ 500µA, 10mA
• ток - отсечка коллектора (макс.):500nA (ICBO)
• частота - переход:200 MHz
• мощность - макс.:200 mW
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• пакет устройств поставщика:SMT3