Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Tape & Reel (TR)
• статус детали:Not For New Designs
• тип транзистора:NPN - Pre-Biased
• ток - коллектор (ic) (макс.):200 mA
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):30 V
• резистор - база (r1):4.7 kOhms
• резистор - эмиттерная база (r2):47 kOhms

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:140 @ 100mA, 2V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
• ток - отсечка коллектора (макс.):500nA
• частота - переход:260 MHz
• мощность - макс.:150 mW
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:SOT-723
• пакет устройств поставщика:VMT3