Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Tray
• статус детали:Active
• тип транзистора:PNP
• ток - коллектор (ic) (макс.):600 mA
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):60 V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:1.6V @ 50mA, 500mA
• ток - отсечка коллектора (макс.):10nA (ICBO)

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:100 @ 150mA, 10V
• мощность - макс.:-
• частота - переход:200MHz
• Рабочая Температура:-65°C ~ 150°C (TJ)
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:Die
• пакет устройств поставщика:Die