Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bulk
• статус детали:Active
• тип транзистора:NPN
• ток - коллектор (ic) (макс.):100 mA
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):60 V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:350mV @ 100µA, 1mA
• ток - отсечка коллектора (макс.):10nA (ICBO)

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:100 @ 10µA, 5V
• мощность - макс.:350 mW
• частота - переход:-
• Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• пакет устройств поставщика:SOT-23-3