VS-GB50TP120N Vishay General Semiconductor – Diodes Division | Baseonchip
В наличии: 3 352

Могу отправить немедленно

Цены:

Позвоните, чтобы узнать цену или отправьте запрос

Технические подробности

  • ряд:-
  • упаковка:Bulk
  • статус детали:Obsolete
  • тип IGBT:-
  • конфигурация:Half Bridge
  • напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):1200 V
  • ток - коллектор (ic) (макс.):100 A
  • мощность - макс.:446 W
  • vce(on) (макс.) @ vge, ic:2.15V @ 15V, 50A

 

  • ток - отсечка коллектора (макс.):5 mA
  • входная емкость (cis) @ vce:4.29 nF @ 25 V
  • вход:Standard
  • нтк термистор:No
  • Рабочая Температура:150°C (TJ)
  • тип крепления:Chassis Mount
  • упаковка / чехол:INT-A-PAK (3 + 4)
  • пакет устройств поставщика:INT-A-PAK

сопутствующие товары


Product

IGBT, 15A, 600V, N-CHANNEL

В наличии: 26

  • 1: $20.40000
  • 30: $20.40000
Product

IGBT MOD 1200V 400A POWIR 62

В наличии: 3 466

Позвоните, чтобы узнать цену

Product

IGBT MOD 1200V 30A 310W

В наличии: 3 274

Позвоните, чтобы узнать цену

Product

IGBT MODULE

В наличии: 609

  • 1: $145.26000
  • 10: $145.26000
Product

MODULE IGBT ECONO SWITCH

В наличии: 3 973

Позвоните, чтобы узнать цену

Product

IGBT MODULE 600V 65A 250W SP1

В наличии: 2 042

Позвоните, чтобы узнать цену

Product

IGBT MOD 250V 450A 735W

В наличии: 2 291

Позвоните, чтобы узнать цену

Product

IGBT MOD 1200V 420A 1550W

В наличии: 3 331

  • 1: $215.56500
  • 10: $200.38913
Product

IGBT MODULE 1200V 100A

В наличии: 3 780

  • 1: $298.78800
  • 10: $277.75213
Product

IGBT MOD 600V 200A 590W

В наличии: 2 906

Позвоните, чтобы узнать цену

Top