Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
• статус детали:Obsolete
• тип транзистора:NPN - Pre-Biased
• ток - коллектор (ic) (макс.):500 mA
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):50 V
• резистор - база (r1):2.2 kOhms
• резистор - эмиттерная база (r2):2.2 kOhms

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:40 @ 100mA, 10V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:250mV @ 5mA, 100mA
• ток - отсечка коллектора (макс.):1µA
• частота - переход:200 MHz
• мощность - макс.:300 mW
• тип крепления:Through Hole
• упаковка / чехол:3-SSIP
• пакет устройств поставщика:NS-B1