Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
• статус детали:Obsolete
• тип транзистора:NPN - Pre-Biased
• ток - коллектор (ic) (макс.):100 mA
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):50 V
• резистор - база (r1):1 kOhms
• резистор - эмиттерная база (r2):10 kOhms

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:30 @ 5mA, 10V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:250mV @ 300µA, 10mA
• ток - отсечка коллектора (макс.):500nA
• частота - переход:150 MHz
• мощность - макс.:300 mW
• тип крепления:Through Hole
• упаковка / чехол:3-SSIP
• пакет устройств поставщика:NS-B1