Технические подробности

• ряд:Gen-III
• упаковка:Tube
• статус детали:Active
• тип диода:Silicon Carbide Schottky
• напряжение - обратное постоянное (vr) (макс.):650 V
• ток - средний выпрямленный (io):10A (DC)
• напряжение - прямое (vf) (max) @ если:1.7 V @ 10 A
• скорость:No Recovery Time > 500mA (Io)

• время обратного восстановления (trr):0 ns
• ток - обратная утечка @ vr:60 µA @ 650 V
• емкость при vr, ф:327pF @ 1V, 1MHz
• тип крепления:Through Hole
• упаковка / чехол:TO-220-2
• пакет устройств поставщика:TO-220-2
• рабочая температура - соединение:-55°C ~ 175°C