Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Tube
• статус детали:Obsolete
• тип фета:N-Channel
• технологии:GaNFET (Gallium Nitride)
• напряжение сток-исток (vdss):600 V
• ток - непрерывный слив (id) при 25°c:9A (Tc)
• напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
• rds on (max) @ id, vgs:350mOhm @ 5.5A, 8V
• vgs(th) (макс.) @ id:2.5V @ 250µA

• заряд затвора (qg) (max) @ vgs:9.3 nC @ 4.5 V
• ВГС (макс.):±18V
• входная емкость (ciss) (max) @ vds:760 pF @ 480 V
• Фет-функция:-
• рассеиваемая мощность (макс.):65W (Tc)
• Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
• тип крепления:Surface Mount
• пакет устройств поставщика:4-PQFN (8x8)
• упаковка / чехол:4-PowerDFN