Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Tube
• статус детали:Obsolete
• тип фета:N-Channel
• технологии:GaNFET (Gallium Nitride)
• напряжение сток-исток (vdss):650 V
• ток - непрерывный слив (id) при 25°c:15A (Tc)
• напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
• rds on (max) @ id, vgs:180mOhm @ 10A, 10V
• vgs(th) (макс.) @ id:4.8V @ 500µA

• заряд затвора (qg) (max) @ vgs:7.1 nC @ 10 V
• ВГС (макс.):±20V
• входная емкость (ciss) (max) @ vds:576 pF @ 400 V
• Фет-функция:-
• рассеиваемая мощность (макс.):69W (Tc)
• Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
• тип крепления:Surface Mount
• пакет устройств поставщика:3-PQFN (8x8)
• упаковка / чехол:3-PowerDFN