- номер частиSISS30DN-T1-GE3
- БрендVishay / Siliconix
- Статус жизненного цикла Active
- RoHS RoHS Compliant
- ОписаниеMOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK
- Категориятранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
В наличии: 6 000
Могу отправить немедленно
Цены:
- 1$1.2
- 3 000$0.56473
- 6 000$0.53822
- 15 000$0.51928
Технические подробности
- ряд:TrenchFET® Gen IV
- упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- статус детали:Active
- тип фета:N-Channel
- технологии:MOSFET (Metal Oxide)
- напряжение сток-исток (vdss):80 V
- ток - непрерывный слив (id) при 25°c:15.9A (Ta), 54.7A (Tc)
- напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):7.5V, 10V
- rds on (max) @ id, vgs:8.25mOhm @ 10A, 10V
- vgs(th) (макс.) @ id:3.8V @ 250µA
- заряд затвора (qg) (max) @ vgs:40 nC @ 10 V
- ВГС (макс.):±20V
- входная емкость (ciss) (max) @ vds:1666 pF @ 10 V
- Фет-функция:-
- рассеиваемая мощность (макс.):4.8W (Ta), 57W (Tc)
- Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- тип крепления:Surface Mount
- пакет устройств поставщика:PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
- упаковка / чехол:PowerPAK® 1212-8S
сопутствующие товары
Добавлено в корзину!
Этот пункт был добавлен в Вашу корзину.