- номер частиSISS08DN-T1-GE3
- БрендVishay / Siliconix
- Статус жизненного цикла Active
- RoHS RoHS Compliant
- ОписаниеMOSFET N-CH 25V 53.9/195.5A PPAK
- Категориятранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
В наличии: 3 844
Могу отправить немедленно
Цены:
- 1$1.2
- 3 000$0.56473
- 6 000$0.53822
- 15 000$0.51928
Технические подробности
- ряд:TrenchFET® Gen IV
- упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- статус детали:Active
- тип фета:N-Channel
- технологии:MOSFET (Metal Oxide)
- напряжение сток-исток (vdss):25 V
- ток - непрерывный слив (id) при 25°c:53.9A (Ta), 195.5A (Tc)
- напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
- rds on (max) @ id, vgs:1.23mOhm @ 15A, 10V
- vgs(th) (макс.) @ id:2.2V @ 250µA
- заряд затвора (qg) (max) @ vgs:82 nC @ 10 V
- ВГС (макс.):+20V, -16V
- входная емкость (ciss) (max) @ vds:3670 pF @ 12.5 V
- Фет-функция:-
- рассеиваемая мощность (макс.):5W (Ta), 65.7W (Tc)
- Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- тип крепления:Surface Mount
- пакет устройств поставщика:PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
- упаковка / чехол:PowerPAK® 1212-8S
сопутствующие товары
Добавлено в корзину!
Этот пункт был добавлен в Вашу корзину.