- номер частиSISH110DN-T1-GE3
- БрендVishay / Siliconix
- Статус жизненного цикла Active
- RoHS RoHS Compliant
- ОписаниеMOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK
- Категориятранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
В наличии: 6 050
Могу отправить немедленно
Цены:
- 1$1.63
- 3 000$0.7662
- 6 000$0.73023
- 15 000$0.70453
Технические подробности
- ряд:TrenchFET® Gen II
- упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- статус детали:Active
- тип фета:N-Channel
- технологии:MOSFET (Metal Oxide)
- напряжение сток-исток (vdss):20 V
- ток - непрерывный слив (id) при 25°c:13.5A (Ta)
- напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
- rds on (max) @ id, vgs:5.3mOhm @ 21.1A, 10V
- vgs(th) (макс.) @ id:2.5V @ 250µA
- заряд затвора (qg) (max) @ vgs:21 nC @ 4.5 V
- ВГС (макс.):±20V
- входная емкость (ciss) (max) @ vds:-
- Фет-функция:-
- рассеиваемая мощность (макс.):1.5W (Ta)
- Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- тип крепления:Surface Mount
- пакет устройств поставщика:PowerPAK® 1212-8SH
- упаковка / чехол:PowerPAK® 1212-8SH
сопутствующие товары
Добавлено в корзину!
Этот пункт был добавлен в Вашу корзину.