- номер частиSIRC04DP-T1-GE3
- БрендVishay / Siliconix
- Статус жизненного цикла Active
- RoHS RoHS Compliant
- ОписаниеMOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
- Категориятранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
В наличии: 1 083
Могу отправить немедленно
Цены:
- 1$1.74
- 3 000$0.8799
- 6 000$0.84937
Технические подробности
- ряд:TrenchFET® Gen IV
- упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- статус детали:Active
- тип фета:N-Channel
- технологии:MOSFET (Metal Oxide)
- напряжение сток-исток (vdss):30 V
- ток - непрерывный слив (id) при 25°c:60A (Tc)
- напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
- rds on (max) @ id, vgs:2.45mOhm @ 15A, 10V
- vgs(th) (макс.) @ id:2.1V @ 250µA
- заряд затвора (qg) (max) @ vgs:56 nC @ 10 V
- ВГС (макс.):+20V, -16V
- входная емкость (ciss) (max) @ vds:2850 pF @ 15 V
- Фет-функция:Schottky Diode (Body)
- рассеиваемая мощность (макс.):50W (Tc)
- Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- тип крепления:Surface Mount
- пакет устройств поставщика:PowerPAK® SO-8
- упаковка / чехол:PowerPAK® SO-8
сопутствующие товары
Добавлено в корзину!
Этот пункт был добавлен в Вашу корзину.