Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Tube
• статус детали:Active
• тип фета:N-Channel
• технологии:SiCFET (Silicon Carbide)
• напряжение сток-исток (vdss):650 V
• ток - непрерывный слив (id) при 25°c:90A (Tc)
• напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):18V
• rds on (max) @ id, vgs:25mOhm @ 50A, 18V
• vgs(th) (макс.) @ id:5V @ 250µA

• заряд затвора (qg) (max) @ vgs:157 nC @ 18 V
• ВГС (макс.):+22V, -10V
• входная емкость (ciss) (max) @ vds:3300 pF @ 400 V
• Фет-функция:-
• рассеиваемая мощность (макс.):390W (Tc)
• Рабочая Температура:-55°C ~ 200°C (TJ)
• тип крепления:Through Hole
• пакет устройств поставщика:HiP247™
• упаковка / чехол:TO-247-3