RJH1CV7DPQ-E0#T2 Rochester Electronics | Baseonchip
В наличии: 1 023

Могу отправить немедленно

Цены:
  • 1$5.55

Технические подробности

  • ряд:-
  • упаковка:Bulk
  • статус детали:Obsolete
  • тип IGBT:Trench
  • напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):1.2 V
  • ток - коллектор (ic) (макс.):70 A
  • ток - коллектор импульсный (icm):-
  • vce(on) (макс.) @ vge, ic:2.3V @ 15V, 35A
  • мощность - макс.:320 W
  • переключение энергии:3.2mJ (on), 2.5mJ (off)

 

  • тип ввода:Standard
  • заряд ворот:166 nC
  • td (вкл./выкл.) при 25°C:53ns/185ns
  • условия испытаний:600V, 35A, 5Ohm, 15V
  • время обратного восстановления (trr):200 ns
  • Рабочая Температура:150°C (TJ)
  • тип крепления:Through Hole
  • упаковка / чехол:TO-247-3
  • пакет устройств поставщика:TO-247

сопутствующие товары


Product

IGBT CHIP

В наличии: 3 762

Позвоните, чтобы узнать цену

Product

IGBT CHIP

В наличии: 2 917

Позвоните, чтобы узнать цену

Product

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

В наличии: 3 302

Позвоните, чтобы узнать цену

Product

IGBT 1600V 30A 312W TO247HC-3

В наличии: 3 757

Позвоните, чтобы узнать цену

Product

IGBT 650V 30A TO-3PF

В наличии: 2 879

Позвоните, чтобы узнать цену

Product

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

В наличии: 471

  • 1: $10.05000
Product

TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 66A 3P

В наличии: 1 588

  • 1: $4.51000
Product

IGZ100N65 - DISCRETE IGBT WITHOU

В наличии: 3 127

  • 1: $3.28000
Product

10A, 400V, N-CHANNEL IGBT

В наличии: 1 977

  • 1: $1.08000
Product

10A, 400V N-CHANNEL IGBT

В наличии: 1 045

  • 1: $0.84000
Top