Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bulk
• статус детали:Active
• диодная конфигурация:2 Independent
• тип диода:Silicon Carbide Schottky
• напряжение - обратное постоянное (vr) (макс.):1200 V
• ток - средний выпрямленный (io) (на диод):100A (DC)
• напряжение - прямое (vf) (max) @ если:1.8 V @ 100 A

• скорость:No Recovery Time > 500mA (Io)
• время обратного восстановления (trr):0 ns
• ток - обратная утечка @ vr:1 mA @ 1200 V
• рабочая температура - соединение:-
• тип крепления:Chassis Mount
• упаковка / чехол:Module
• пакет устройств поставщика:Module