QJD1210010 Powerex, Inc. | Baseonchip
В наличии: 2 714

Могу отправить немедленно

Цены:

Позвоните, чтобы узнать цену или отправьте запрос

Технические подробности

  • ряд:-
  • упаковка:Bulk
  • статус детали:Active
  • тип фета:2 N-Channel (Dual)
  • Фет-функция:Silicon Carbide (SiC)
  • напряжение сток-исток (vdss):1200V (1.2kV)
  • ток - непрерывный слив (id) при 25°c:100A (Tc)
  • rds on (max) @ id, vgs:25mOhm @ 100A, 20V

 

  • vgs(th) (макс.) @ id:5V @ 10mA
  • заряд затвора (qg) (max) @ vgs:500nC @ 20V
  • входная емкость (ciss) (max) @ vds:10200pF @ 800V
  • мощность - макс.:1080W
  • Рабочая Температура:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • тип крепления:Chassis Mount
  • упаковка / чехол:Module
  • пакет устройств поставщика:Module

сопутствующие товары


Product

MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6

В наличии: 2 385

  • 1: $204.84200
  • 100: $155.28942
Product

RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-

В наличии: 39

  • 1: $20.86000
Product

MOSFET 2N-CH 500V 13A I4-PAC

В наличии: 1 200

  • 1: $17.68400
  • 25: $17.68400
Product

HIGH SPEED SWITCHING N-CHANNEL

В наличии: 98 500

  • 1: $0.44000
Product

RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-

В наличии: 3 782

  • 1: $30.68000
Product

MOSFET 2N-CH 56LFPAK

В наличии: 3 754

Позвоните, чтобы узнать цену

Product

RF L BAND, N-CHANNEL

В наличии: 3 423

  • 1: $100.21000
Product

MOSFET 4N-CH 500V 51A SP4

В наличии: 3 855

  • 1: $145.67000
  • 100: $104.26830
Product

MOSFET 2N-CH 600V 39A SP3

В наличии: 3 005

Позвоните, чтобы узнать цену

Product

MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1

В наличии: 3 459

Позвоните, чтобы узнать цену

Top