Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bulk
• статус детали:Active
• тип транзистора:NPN
• ток - коллектор (ic) (макс.):1 A
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):40 V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:1V @ 50mA, 500mA
• ток - отсечка коллектора (макс.):10nA (ICBO)

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:100 @ 150mA, 10V
• мощность - макс.:625 mW
• частота - переход:300MHz
• Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
• тип крепления:Through Hole
• упаковка / чехол:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• пакет устройств поставщика:TO-92-3