Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bulk
• статус детали:Active
• тип транзистора:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• ток - коллектор (ic) (макс.):100mA
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):50V
• резистор - база (r1):4.7kOhms
• резистор - эмиттерная база (r2):47kOhms

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:100 @ 10mA, 5V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:100mV @ 250µA, 5mA
• ток - отсечка коллектора (макс.):1µA
• частота - переход:-
• мощность - макс.:300mW
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:SOT-563, SOT-666
• пакет устройств поставщика:SOT-666