Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bulk
• статус детали:Active
• тип транзистора:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• ток - коллектор (ic) (макс.):20mA
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):50V
• резистор - база (r1):100kOhms
• резистор - эмиттерная база (r2):100kOhms

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:80 @ 5mA, 5V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:150mV @ 250µA, 5mA
• ток - отсечка коллектора (макс.):1µA
• частота - переход:-
• мощность - макс.:300mW
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:SOT-563, SOT-666
• пакет устройств поставщика:SOT-666