Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bulk
• статус детали:Obsolete
• тип транзистора:NPN - Pre-Biased
• ток - коллектор (ic) (макс.):100 mA
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):50 V
• резистор - база (r1):2.2 kOhms
• резистор - эмиттерная база (r2):47 kOhms

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:100 @ 10mA, 5V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:100mV @ 250µA, 5mA
• ток - отсечка коллектора (макс.):1µA
• частота - переход:-
• мощность - макс.:150 mW
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:SC-75, SOT-416
• пакет устройств поставщика:SC-75