Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Tray
• статус детали:Active
• тип диода:Silicon Carbide Schottky
• напряжение - обратное постоянное (vr) (макс.):1230 V
• ток - средний выпрямленный (io):8A
• напряжение - прямое (vf) (max) @ если:1.723 V @ 20 A
• скорость:No Recovery Time > 500mA (Io)

• время обратного восстановления (trr):0 ns
• ток - обратная утечка @ vr:200 µA @ 1230 V
• емкость при vr, ф:-
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:Die
• пакет устройств поставщика:Die
• рабочая температура - соединение:175°C (Max)