Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bulk
• статус детали:Active
• тип транзистора:PNP
• ток - коллектор (ic) (макс.):2 A
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):40 V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:650mV @ 200mA, 2A
• ток - отсечка коллектора (макс.):100nA

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:300 @ 1mA, 5V
• мощность - макс.:650 mW
• частота - переход:150MHz
• Рабочая Температура:150°C (TJ)
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:TO-261-4, TO-261AA
• пакет устройств поставщика:SOT-223