Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bulk
• статус детали:Active
• тип транзистора:1 PNP Pre-Biased, 1 PNP
• ток - коллектор (ic) (макс.):100mA, 1.5A
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):50V, 60V
• резистор - база (r1):4.7kOhms
• резистор - эмиттерная база (r2):4.7kOhms

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:30 @ 10mA, 5V / 140 @ 1A, 2V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:150mV @ 500µA, 10mA / 260mV @ 100mA, 1.5A
• ток - отсечка коллектора (макс.):1µA, 100nA
• частота - переход:150MHz
• мощность - макс.:760mW
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:SC-74, SOT-457
• пакет устройств поставщика:6-TSOP