Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bulk
• статус детали:Active
• тип транзистора:1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• ток - коллектор (ic) (макс.):100mA, 3A
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):50V, 20V
• резистор - база (r1):10kOhms
• резистор - эмиттерная база (r2):10kOhms

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:30 @ 5mA, 5V / 150 @ 2A, 2V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A
• ток - отсечка коллектора (макс.):1µA, 100nA
• частота - переход:100MHz
• мощность - макс.:1.5W
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• пакет устройств поставщика:8-SO