Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bulk
• статус детали:Active
• тип транзистора:NPN
• ток - коллектор (ic) (макс.):2 A
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):30 V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:500mV @ 100mA, 1A
• ток - отсечка коллектора (макс.):100nA (ICBO)

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:60 @ 100mA, 1V
• мощность - макс.:1 W
• частота - переход:-
• Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:TO-261-4, TO-261AA
• пакет устройств поставщика:SOT-223-4