Технические подробности

• ряд:FETKY™
• упаковка:Bulk
• статус детали:Obsolete
• тип фета:P-Channel
• технологии:MOSFET (Metal Oxide)
• напряжение сток-исток (vdss):20 V
• ток - непрерывный слив (id) при 25°c:2.4A (Ta)
• напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):2.5V, 4.5V
• rds on (max) @ id, vgs:90mOhm @ 3.3A, 4.5V
• vgs(th) (макс.) @ id:1.5V @ 250µA

• заряд затвора (qg) (max) @ vgs:18 nC @ 4.5 V
• ВГС (макс.):±10V
• входная емкость (ciss) (max) @ vds:750 pF @ 16 V
• Фет-функция:Schottky Diode (Isolated)
• рассеиваемая мощность (макс.):780mW (Ta)
• Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
• тип крепления:Surface Mount
• пакет устройств поставщика:Micro8™
• упаковка / чехол:8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)