Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bulk
• статус детали:Obsolete
• тип фета:N-Channel
• технологии:MOSFET (Metal Oxide)
• напряжение сток-исток (vdss):30 V
• ток - непрерывный слив (id) при 25°c:7.4A (Ta)
• напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs:10mOhm @ 12A, 10V
• vgs(th) (макс.) @ id:3V @ 250µA

• заряд затвора (qg) (max) @ vgs:18 nC @ 4.5 V
• ВГС (макс.):±20V
• входная емкость (ciss) (max) @ vds:1.078 pF @ 24 V
• Фет-функция:-
• рассеиваемая мощность (макс.):850mW (Ta)
• Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
• тип крепления:Surface Mount
• пакет устройств поставщика:8-SOIC
• упаковка / чехол:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)