Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bulk
• статус детали:Obsolete
• тип фета:P-Channel
• технологии:MOSFET (Metal Oxide)
• напряжение сток-исток (vdss):8 V
• ток - непрерывный слив (id) при 25°c:5.2A (Ta)
• напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):1.8V, 4.5V
• rds on (max) @ id, vgs:35mOhm @ 5.2A, 4.5V
• vgs(th) (макс.) @ id:450mV @ 250µA

• заряд затвора (qg) (max) @ vgs:26 nC @ 4.5 V
• ВГС (макс.):±8V
• входная емкость (ciss) (max) @ vds:-
• Фет-функция:-
• рассеиваемая мощность (макс.):1.3W (Ta)
• Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
• тип крепления:Surface Mount
• пакет устройств поставщика:ChipFET™
• упаковка / чехол:8-SMD, Flat Lead