Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bag
• статус детали:Active
• тип транзистора:NPN - Darlington
• ток - коллектор (ic) (макс.):1 A
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):50 V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:1.5V @ 2mA, 1A
• ток - отсечка коллектора (макс.):100nA (ICBO)

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:4000 @ 1A, 5V
• мощность - макс.:1 W
• частота - переход:1GHz
• Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
• тип крепления:Through Hole
• упаковка / чехол:TO-226-3, TO-92-3 Long Body
• пакет устройств поставщика:TO-92L