Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bag
• статус детали:Active
• тип транзистора:NPN
• ток - коллектор (ic) (макс.):100 mA
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):300 V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:600mV @ 2mA, 20mA
• ток - отсечка коллектора (макс.):1µA (ICBO)

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:100 @ 5mA, 10V
• мощность - макс.:900 mW
• частота - переход:50MHz
• Рабочая Температура:150°C (TJ)
• тип крепления:Through Hole
• упаковка / чехол:TO-226-3, TO-92-3 Long Body
• пакет устройств поставщика:TO-92L