Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bag
• статус детали:Active
• тип транзистора:PNP
• ток - коллектор (ic) (макс.):10 A
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):100 V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:4V @ 2.5A, 10A
• ток - отсечка коллектора (макс.):700µA

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:40 @ 1A, 4V
• мощность - макс.:80 W
• частота - переход:3MHz
• Рабочая Температура:-65°C ~ 150°C (TJ)
• тип крепления:Through Hole
• упаковка / чехол:TO-3P-3, SC-65-3
• пакет устройств поставщика:TO-3PN