Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bag
• статус детали:Active
• тип транзистора:NPN
• ток - коллектор (ic) (макс.):100 mA
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):300 V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:2V @ 5mA, 50mA
• ток - отсечка коллектора (макс.):500nA (ICBO)

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:56 @ 10mA, 10V
• мощность - макс.:200 mW
• частота - переход:100MHz
• Рабочая Температура:150°C (TJ)
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• пакет устройств поставщика:SOT-23