Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bag
• статус детали:Active
• тип транзистора:NPN
• ток - коллектор (ic) (макс.):5 A
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):800 V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:5V @ 800mA, 4A
• ток - отсечка коллектора (макс.):10µA (ICBO)

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:8 @ 1A, 5V
• мощность - макс.:120 W
• частота - переход:3MHz
• Рабочая Температура:150°C (TJ)
• тип крепления:Through Hole
• упаковка / чехол:TO-3P-3, SC-65-3
• пакет устройств поставщика:TO-3P