Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bag
• статус детали:Active
• тип транзистора:NPN
• ток - коллектор (ic) (макс.):30 A
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):100 V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:800mV @ 750mA, 7.5A
• ток - отсечка коллектора (макс.):1mA (ICBO)

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:25 @ 7.5A, 2V
• мощность - макс.:200 W
• частота - переход:2MHz
• Рабочая Температура:-65°C ~ 200°C (TJ)
• тип крепления:Through Hole
• упаковка / чехол:TO-204AA, TO-3
• пакет устройств поставщика:TO-3