Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bulk
• статус детали:Active
• тип транзистора:PNP
• ток - коллектор (ic) (макс.):1 A
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):30 V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:650mV @ 200mA, 2A
• ток - отсечка коллектора (макс.):100nA

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:100 @ 500mA, 2V
• мощность - макс.:310 mW
• частота - переход:100MHz
• Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• пакет устройств поставщика:SOT-23-3