Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
• статус детали:Active
• тип транзистора:PNP
• ток - коллектор (ic) (макс.):1 A
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):12 V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:440mV @ 100mA, 1A
• ток - отсечка коллектора (макс.):100nA (ICBO)

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:100 @ 500mA, 2V
• мощность - макс.:740 mW
• частота - переход:200MHz
• Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:3-WDFN Exposed Pad
• пакет устройств поставщика:3-WDFN (2x2)