Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bulk
• статус детали:Active
• тип транзистора:NPN - Pre-Biased
• ток - коллектор (ic) (макс.):100 mA
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):50 V
• резистор - база (r1):1 kOhms
• резистор - эмиттерная база (r2):1 kOhms

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:3 @ 5mA, 10V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:250mV @ 5mA, 10mA
• ток - отсечка коллектора (макс.):500nA
• частота - переход:-
• мощность - макс.:254 mW
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:SOT-1123
• пакет устройств поставщика:SOT-1123