Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bulk
• статус детали:Active
• тип транзистора:PNP - Pre-Biased
• ток - коллектор (ic) (макс.):3 A
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):30 V
• резистор - база (r1):10 kOhms
• резистор - эмиттерная база (r2):-

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:125 @ 800mA, 1V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:550mV @ 300mA, 3A
• ток - отсечка коллектора (макс.):-
• частота - переход:110 MHz
• мощность - макс.:720 mW
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:TO-261-4, TO-261AA
• пакет устройств поставщика:SOT-223