Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Tube
• статус детали:Active
• тип транзистора:PNP
• ток - коллектор (ic) (макс.):15 A
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):250 V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:600mV @ 800mA, 8A
• ток - отсечка коллектора (макс.):50µA (ICBO)

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:75 @ 3A, 5V
• мощность - макс.:200 W
• частота - переход:30MHz
• Рабочая Температура:-65°C ~ 150°C (TJ)
• тип крепления:Through Hole
• упаковка / чехол:TO-3P-3, SC-65-3
• пакет устройств поставщика:TO-3P-3L