- номер частиNGTD17T65F2WP
- БрендSanyo Semiconductor/ON Semiconductor
- Статус жизненного цикла Active
- RoHS RoHS Compliant
- ОписаниеIGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
- Категориятранзисторы - igbts - одиночные
В наличии: 3 827
Могу отправить немедленно
Цены:
Позвоните, чтобы узнать цену или отправьте запрос
Технические подробности
- ряд:-
- упаковка:Bulk
- статус детали:Active
- тип IGBT:Trench Field Stop
- напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):650 V
- ток - коллектор (ic) (макс.):-
- ток - коллектор импульсный (icm):160 A
- vce(on) (макс.) @ vge, ic:2V @ 15V, 40A
- мощность - макс.:-
- переключение энергии:-
- тип ввода:Standard
- заряд ворот:-
- td (вкл./выкл.) при 25°C:-
- условия испытаний:-
- время обратного восстановления (trr):-
- Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- тип крепления:Surface Mount
- упаковка / чехол:Die
- пакет устройств поставщика:Die
сопутствующие товары
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
В наличии: 2 263
Позвоните, чтобы узнать цену
IGBT CHIP
В наличии: 3 837
Позвоните, чтобы узнать цену
IXBT2N250 TR
В наличии: 2 394
- 1: $13.91620
IGBT, 150A, 1200V, N-CHANNEL
В наличии: 800
- 1: $127.63000
INSULATED GATE BIPOLAR GATE TRAS
В наличии: 9 825
- 1: $2.89000
27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT W/
В наличии: 1 100
- 1: $1.30000
6A, 600V, UFS SERIES N-CHANNEL I
В наличии: 300
- 1: $0.48000
UFS SERIES N-CHANNEL IGBT
В наличии: 606
- 1: $6.32000
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
В наличии: 2 461
Позвоните, чтобы узнать цену
FS75R07 - IGBT MODULE
В наличии: 537
- 1: $66.52000
Добавлено в корзину!
Этот пункт был добавлен в Вашу корзину.