- номер частиMT29F512G08EMCBBJ5-10:B TR
- БрендMicron Technology
- Статус жизненного цикла Active
- RoHS RoHS Compliant
- ОписаниеIC FLASH 512GBIT PARALLEL 100MHZ
- Категорияобъем памяти
Могу отправить немедленно
Позвоните, чтобы узнать цену или отправьте запрос
Технические подробности
- ряд:-
- упаковка:Tape & Reel (TR)
- статус детали:Obsolete
- тип памяти:Non-Volatile
- формат памяти:FLASH
- технологии:FLASH - NAND (TLC)
- объем памяти:512Gb (64G x 8)
- интерфейс памяти:Parallel
- тактовая частота:100 MHz
- время цикла записи - слово, страница:-
- время доступа:-
- напряжение - питание:2.7V ~ 3.6V
- Рабочая Температура:0°C ~ 70°C (TA)
- тип крепления:Surface Mount
- упаковка / чехол:-
- пакет устройств поставщика:132-TBGA (12x18)
сопутствующие товары
IC EEPROM 128KBIT I2C 400KHZ DIE
В наличии: 3 732
Позвоните, чтобы узнать цену
IC FLASH 8MBIT PARALLEL 32PLCC
В наличии: 2 095
Позвоните, чтобы узнать цену
IC FLASH 8MBIT PARALLEL 32PLCC
В наличии: 3 282
Позвоните, чтобы узнать цену
IC FLASH 128MBIT PARALLEL WAFER
В наличии: 2 123
Позвоните, чтобы узнать цену
IC FLASH NOR
В наличии: 2 771
Позвоните, чтобы узнать цену
SRAM - DUAL MARKED (8605106EA)
В наличии: 1 934
- 1: $104.21000
IC FLASH 128MBIT PARALLEL VFBGA
В наличии: 3 486
Позвоните, чтобы узнать цену
IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
В наличии: 3 118
Позвоните, чтобы узнать цену
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 52PLCC
В наличии: 3 129
Позвоните, чтобы узнать цену
IC EEPROM 1MBIT I2C 1MHZ 8WLCSP
В наличии: 2 292
Позвоните, чтобы узнать цену